[发明专利]瞬态电压抑制器及其制作方法有效
| 申请号： | 201711345313.0 | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN108109964B | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 南京溧水高新创业投资管理有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L27/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 44525 | 代理人： | 李明香 |
| 地址： | 210000 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种瞬态电压抑制器及其制作方法。所述瞬态电压抑制器包括N型衬底、形成于所述N型衬底上的第一P型外延层、形成于第一P型外延层上的第二P型外延层，所述第一P型外延层被分割为第一部分、第二部分、及第三部分，所述第二P型外延层被分割为设置于第一部分上的第四部分、设置于第二部分上的第五部分及设置于第三部分上的第六部分，所述第一部分表面形成有第一N型注入区，所述第三部分表面形成有第二N型注入区，所述第四部分包括贯穿设置且与所述第一N型注入区连接第一多晶硅，所述第六部分包括贯穿设置且与所述第二N型注入区连接的第二多晶硅，所述第五部分表面设置有第三N型注入区。 | ||
| 搜索关键词： | 瞬态 电压 抑制器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种瞬态电压抑制器，其特征在于：所述瞬态电压抑制器包括N型衬底、形成于所述N型衬底上的第一P型外延层、形成于第一P型外延层上的第二P型外延层，所述第一P型外延层被第一隔离槽与第二隔离槽分割为第一部分、第二部分、及第三部分，所述第二P型外延层被所述第一隔离槽与所述第二隔离槽分割为设置于第一部分上的第四部分、设置于第二部分上的第五部分及设置于第三部分上的第六部分，所述第一部分表面形成有第一N型注入区，所述第三部分表面形成有第二N型注入区，所述第四部分包括贯穿设置且与所述第一N型注入区连接第一多晶硅，所述第六部分包括贯穿设置且与所述第二N型注入区连接的第二多晶硅，所述第五部分表面设置有第三N型注入区，所述瞬态电压抑制器还包括连接所述第一多晶硅的第一接线端、连接所述第二多晶硅的第二接线端、及连接所述第三N型注入区的第三接线端。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
