[发明专利]薄膜晶体管与薄膜晶体管的制作方法及膜层刻蚀工艺有效
申请号: | 201711278338.3 | 申请日: | 2017-12-06 |
公开(公告)号: | CN108010839B | 公开(公告)日: | 2021-08-06 |
发明(设计)人: | 刘刚;张毅先;任思雨;苏君海;李建华 | 申请(专利权)人: | 信利(惠州)智能显示有限公司 |
主分类号: | H01L21/3213 | 分类号: | H01L21/3213;H01L29/786;H01L21/336 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 叶剑 |
地址: | 516029 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种薄膜晶体管与薄膜晶体管的制作方法及膜层刻蚀工艺,其中,膜层刻蚀工艺用于对薄膜晶体管的膜层进行刻蚀,膜层的第一表面上形成有光刻胶,光刻胶包括预设图案的预留光刻胶和残留光刻胶,膜层刻蚀工艺包括如下步骤:采用含O2气体对膜层进行预处理,以去除残留光刻胶,其中,预处理持续预设时长;采用第一刻蚀气体对膜层进行刻蚀处理。上述膜层刻蚀工艺,先采用含O2气体对膜层进行预处理,其中的O2气体经射频放电形成一定浓度的氧离子活性分子,氧离子活性分子与光刻胶发生反应,以去除残留光刻胶,使光刻胶的形貌恢复正常,避免需要刻蚀的那部分膜层被光刻胶遮挡,导致膜层的形貌也出现异常,从而影响薄膜晶体管的品质的情况出现。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 制作方法 刻蚀 工艺 | ||
【主权项】:
1.一种膜层刻蚀工艺,用于对薄膜晶体管的膜层进行刻蚀,所述膜层的第一表面上形成有光刻胶,所述光刻胶包括预设图案的预留光刻胶和残留光刻胶,其特征在于,所述膜层刻蚀工艺包括如下步骤:采用含O2 气体对所述膜层进行预处理,以去除所述残留光刻胶,其中,所述预处理持续预设时长;采用第一刻蚀气体对所述膜层进行刻蚀处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于信利(惠州)智能显示有限公司,未经信利(惠州)智能显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711278338.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造