[发明专利]薄膜晶体管与薄膜晶体管的制作方法及膜层刻蚀工艺有效

专利信息
申请号: 201711278338.3 申请日: 2017-12-06
公开(公告)号: CN108010839B 公开(公告)日: 2021-08-06
发明(设计)人: 刘刚;张毅先;任思雨;苏君海;李建华 申请(专利权)人: 信利(惠州)智能显示有限公司
主分类号: H01L21/3213 分类号: H01L21/3213;H01L29/786;H01L21/336
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 叶剑
地址: 516029 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种薄膜晶体管与薄膜晶体管的制作方法及膜层刻蚀工艺,其中,膜层刻蚀工艺用于对薄膜晶体管的膜层进行刻蚀,膜层的第一表面上形成有光刻胶,光刻胶包括预设图案的预留光刻胶和残留光刻胶,膜层刻蚀工艺包括如下步骤:采用含O2气体对膜层进行预处理,以去除残留光刻胶,其中,预处理持续预设时长;采用第一刻蚀气体对膜层进行刻蚀处理。上述膜层刻蚀工艺,先采用含O2气体对膜层进行预处理,其中的O2气体经射频放电形成一定浓度的氧离子活性分子,氧离子活性分子与光刻胶发生反应,以去除残留光刻胶,使光刻胶的形貌恢复正常,避免需要刻蚀的那部分膜层被光刻胶遮挡,导致膜层的形貌也出现异常,从而影响薄膜晶体管的品质的情况出现。
搜索关键词: 薄膜晶体管 制作方法 刻蚀 工艺
【主权项】:
1.一种膜层刻蚀工艺,用于对薄膜晶体管的膜层进行刻蚀,所述膜层的第一表面上形成有光刻胶,所述光刻胶包括预设图案的预留光刻胶和残留光刻胶,其特征在于,所述膜层刻蚀工艺包括如下步骤:采用含O2气体对所述膜层进行预处理,以去除所述残留光刻胶,其中,所述预处理持续预设时长;采用第一刻蚀气体对所述膜层进行刻蚀处理。
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