[发明专利]半导体结构和形成集成电路结构的方法有效
| 申请号： | 201711269364.X | 申请日： | 2017-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN108807380B | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 廖忠志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了半导体结构的一个实施例。半导体结构包括鳍型有源区，从半导体衬底突出；栅极堆叠件，设置在鳍型有源区上；源极/漏极部件，形成在鳍型有源区中并且设置在栅极堆叠件的一侧上；伸长的接触部件，接合在源极/漏极部件上；以及介电材料层，设置在伸长的接触部件的侧壁上并且不设置在伸长的接触部件的端部上。本发明的实施例还涉及形成集成电路结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 集成电路 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：鳍型有源区，从半导体衬底突出；栅极堆叠件，设置在所述鳍型有源区上；源极/漏极部件，形成在所述鳍型有源区中并且设置在所述栅极堆叠件的一侧上；伸长的接触部件，接合在所述源极/漏极部件上；以及介电材料层，设置在所述伸长的接触部件的侧壁上并且不设置在所述伸长的接触部件的端部上，其中，所述伸长的接触部件的侧壁与所述栅极堆叠件平行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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