[发明专利]半导体结构的制备方法有效
| 申请号： | 201711260645.9 | 申请日： | 2017-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN109427546B | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 施信益;王成维;曾自立 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;张福根 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体结构的制备方法。该制备方法包括以下步骤：提供一基底；形成多个第一核心特征在该基底上方，且该第一核心特征彼此间隔开；形成一间隙层在该第一核心特征上方，且形成该间隙层覆盖每个该第一核心特征的侧壁与其顶表面；形成多个第二核心特征在该基底上方，且通过该第二核心特征暴露该部分间隙层；在该第二核心特征上，执行一致密化处理，且移除该间隙层以形成多个开口在该第一核心特征和该第二个核心特征之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体图案的制备方法，包括：提供一基底；形成多个第一核心特征在该基底上方，且该第一核心特征彼此间隔开；形成一间隙层在该第一核心特征上方，该间隙层覆盖每个该第一核心特征的侧壁与其顶表面；形成多个第二个核心特征在该基底上方，其中通过该第二个核心特征暴露该部分间隙层；在该第二核心特征上，执行一致密化处理；以及经该致密化处理后，移除该间隙层以形成多个开口在该第一核心特征和该第二核心特征之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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