[发明专利]减少半导体制造中接触件深度变化的方法

摘要

一种方法包括提供具有隔离结构、邻近隔离结构且高于隔离结构的鳍以及位于鳍和隔离结构上方的栅极结构的器件结构。隔离结构、鳍和栅极结构限定位于鳍上方的第一沟槽和位于隔离结构上方的第二沟槽。该方法进一步包括在栅极结构、鳍和隔离结构上方形成第一接触蚀刻停止层(CESL)；在第一CESL上方沉积第一层间介电(ILD)层并填充第一沟槽和第二沟槽；以及凹进第一ILD层，从而使得去除第一沟槽中的第一ILD层，并且将第二沟槽中的第一ILD层凹进至与鳍的顶面大致齐平的水平处。本发明实施例涉及减少半导体制造中接触件深度变化的方法。

主权项

1.一种用于制造半导体的方法，所述方法包括：提供器件结构，所述器件结构具有隔离结构、邻近所述隔离结构且高于所述隔离结构的鳍、以及位于所述鳍和所述隔离结构上方的栅极结构，其中，所述隔离结构、所述鳍和所述栅极结构限定位于所述鳍上方的第一沟槽和位于所述隔离结构上方的第二沟槽；在所述栅极结构、所述鳍和所述隔离结构上方形成第一接触蚀刻停止层(CESL)；在所述第一接触蚀刻停止层上方沉积填充所述第一沟槽和所述第二沟槽的第一层间介电(ILD)层；以及凹进所述第一层间介电层，从而去除所述第一沟槽中的所述第一层间介电层，并且将所述第二沟槽中的所述第一层间介电层凹进至与所述鳍的顶面齐平的水平处。