[发明专利]SiGe材料CMOS器件

摘要

本发明涉及一种SiGe材料CMOS器件，包括Si1‑xGex/Si虚衬底(101)；Si1‑xGex沟道层(102)，设置于所述Si1‑xGex/Si虚衬底(101)上；介质层(103)，设置于所述Si1‑xGex沟道层(102)上；隔离区(104)，设置于所述Si1‑xGex沟道层(102)和所述介质层(103)内部；N阱区(105)，设置于所述隔离区(104)一侧的所述Si1‑xGex沟道层(102)内；PMOS区域(106)和NMOS区域(107)，分别设置于所述隔离区(104)的两侧；钝化层(108)，设置于所述介质层(103)上。本发明提供的CMOS器件以Si1‑xGex材料为CMOS器件沟道，其NMOS界面特性好，载流子迁移率高，PMOS载流子迁移率显著高于Si器件，器件工作速度高，频率特性好；且其制备工艺均与现有Si工艺兼容，在工艺制造、降低成本方面具有十分明显的优势。

主权项

一种SiGe材料CMOS器件，其特征在于，包括：Si1‑xGex/Si虚衬底(101)；Si1‑xGex沟道层(102)，设置于所述Si1‑xGex/Si虚衬底(101)上；介质层(103)，设置于所述Si1‑xGex沟道层(102)上；隔离区(104)，设置于所述Si1‑xGex沟道层(102)和所述介质层(103)内部；N阱区(105)，设置于所述隔离区(104)一侧的所述Si1‑xGex沟道层(102)内；PMOS区域(106)和NMOS区域(107)，分别设置于所述隔离区(104)的两侧；钝化层(108)，设置于所述介质层(103)上。