[发明专利]光电探测器与其制作方法有效
| 申请号： | 201711244398.3 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN108257946B | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 张青竹;张兆浩;殷华湘;徐忍忍 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L25/04 | 分类号： | H01L25/04;H01L31/109;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 韩建伟;谢湘宁 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种光电探测器与其制作方法。该光电探测器包括：衬底；至少一个第一半导体层，设置在衬底的部分表面上，第一半导体层与衬底之间具有微腔，和/或相邻的第一半导体层之间具有微腔；多个第二半导体层，各第二半导体层为二维半导体材料层，光电探测器具有至少两个异质结，第二半导体层的设置方式选自以下方式中的一种或多种的组合：第二半导体层设置在微腔中并位于第一半导体层的表面上，设置在微腔中并位于衬底的表面上，设置在第一半导体层远离微腔的表面上；底电极，设置在衬底的远离第一半导体层的表面上；顶电极，与各异质结分别串联。该光电探测器的有效工作面积较大，光电探测器的响应度较大。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 探测器 与其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种光电探测器，其特征在于，所述光电探测器包括：衬底(2)；至少一个第一半导体层(3)，设置在所述衬底(2)的部分表面上，所述第一半导体层(3)与所述衬底(2)之间具有微腔(8)，和/或相邻的所述第一半导体层(3)之间具有微腔(8)；多个第二半导体层(4)，各所述第二半导体层(4)为二维半导体材料层，所述光电探测器具有至少两个异质结，所述第二半导体层(4)的设置方式选自以下方式中的一种或多种的组合：所述第二半导体层设置在所述微腔(8)中并位于所述第一半导体层(3)的表面上，设置在所述微腔(8)中并位于所述衬底(2)的表面上，设置在所述第一半导体层(3)远离所述微腔(8)的表面上；底电极(1)，设置在所述衬底(2)的远离所述第一半导体层(3)的表面上；以及顶电极(7)，与各所述异质结分别串联。
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