[发明专利]浅沟槽隔离的制造方法

摘要

本发明公开了一种浅沟槽隔离的制造方法，包括步骤：步骤一、提供硅晶圆，在炉管中进行第一氧化硅层的生长；步骤二、在炉管中进行第二氮化硅层的生长；步骤三、去除硅晶圆背面的所述第二氮化硅层；步骤四、采用光刻工艺在硅晶圆的正面定义出浅沟槽的形成区域；步骤五、进行刻蚀形成浅沟槽；步骤六、在炉管中进行作为浅沟槽的衬垫氧化层的第三氧化硅层的生长。本发明能消除在浅沟槽表面的衬垫氧化层的形成过程中形成氮化硅剥离缺陷，从而能提高产品的良率。

主权项

1.一种浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供硅晶圆，在氧化硅生长炉管中进行第一氧化硅层的生长，所述第一氧化硅层形成在所述硅晶圆的表面；步骤二、在氮化硅生长炉管中进行第二氮化硅层的生长，所述第二氮化硅层形成在所述硅晶圆的所述第一氧化硅层表面；步骤三、去除所述硅晶圆背面的所述第二氮化硅层；步骤四、采用光刻工艺在所述硅晶圆的正面定义出浅沟槽的形成区域；步骤五、对所述浅沟槽的形成区域的所述第二氮化硅层、所述第一氧化硅层和所述硅晶圆的硅进行刻蚀形成浅沟槽；步骤六、在氧化硅生长炉管中进行第三氧化硅层的生长，所述第三氧化硅层形成于所述浅沟槽的内侧表面并作为所述浅沟槽的衬垫氧化层，利用步骤三中已经去除所述硅晶圆背面的所述第二氮化硅层的特点防止在所述第三氧化硅层的生长中产生所述第二氮化硅层的剥落。