[发明专利]基板处理方法和基板处理装置有效
| 申请号： | 201711237826.X | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN108172529B | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 藤田和宏;三浦淳靖;辻川裕贵;土桥裕也;泷昭彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 宋晓宝;向勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供能抑制或防止基板间的蚀刻处理的偏差的基板处理方法和装置。基板处理方法对多张基板依次实施共同的共同蚀刻处理，共同蚀刻处理具有：蚀刻工序，通过向共同配管供给第一液温的蚀刻液，并从喷嘴喷出蚀刻液，对基板进行蚀刻；高温液体喷出工序，在蚀刻工序之后向共同配管供给具有高于第一液温的液温的高温液体，并从喷嘴喷出高温液体，基板处理方法还包括配管升温工序，在配管升温工序中，在对上述多张基板进行的多个上述共同蚀刻处理中的最初的共同蚀刻处理之前，使共同配管的管壁升温至高于第一液温的规定的第二液温，在各共同蚀刻处理中，在各高温液体喷出工序之后且下一次的各蚀刻工序之前不进行使共同配管的管壁降温的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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