[发明专利]一种角度可控的SiC衬底缓坡刻蚀方法有效
| 申请号： | 201711220783.4 | 申请日： | 2017-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN108063087B | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 朱继红;蔺增金;赵小瑞;张志文 | 申请（专利权）人： | 北京燕东微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 张雪梅 |
| 地址： | 100015 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种角度可控的SiC衬底缓坡刻蚀方法，其特征在于，步骤包括：在SiC衬底上形成抗刻蚀掩模层；在抗刻蚀掩模层上形成形貌控制掩模层；腐蚀形貌控制掩模层，包括：在形貌控制掩模层上涂覆第一光刻胶层，对第一光刻胶层进行光刻，形成形貌控制掩模层的腐蚀窗口，利用腐蚀窗口对形貌控制掩模层进行腐蚀，以及在形貌控制掩模层上涂覆第二光刻胶层，对第二光刻胶层进行光刻，在形貌控制掩模层上形成刻蚀窗口，利用刻蚀窗口对形貌控制掩模层进行侧蚀，在光刻胶层与抗刻蚀掩模层之间形成刻蚀间隙；腐蚀抗刻蚀掩模层，在抗刻蚀掩模层上形成缓坡角度；以及刻蚀衬底，形成具有缓坡角度的衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 角度 可控 sic 衬底 缓坡 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种角度可控的SiC衬底缓坡刻蚀方法，其特征在于，步骤包括：在SiC衬底上形成抗刻蚀掩模层；在所述抗刻蚀掩模层上形成形貌控制掩模层；腐蚀所述形貌控制掩模层，包括：在所述形貌控制掩模层上涂覆第一光刻胶层，对所述第一光刻胶层进行光刻，形成所述形貌控制掩模层的腐蚀窗口，利用所述腐蚀窗口对所述形貌控制掩模层进行腐蚀，以及在所述形貌控制掩模层上涂覆第二光刻胶层，对所述第二光刻胶层进行光刻，在所述形貌控制掩模层上形成刻蚀窗口，利用所述刻蚀窗口对所述形貌控制掩模层进行侧蚀，在所述第二光刻胶层与所述抗刻蚀掩模层之间形成刻蚀间隙；腐蚀所述抗刻蚀掩模层，形成具有缓坡角度的所述抗刻蚀掩模层；以及基于具有所述缓坡角度的所述抗刻蚀掩模层刻蚀所述衬底，形成具有所述缓坡角度的所述衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
