[发明专利]MEMS光学器件、光吸收纳米结构及其制备方法在审
申请号: | 201711218812.3 | 申请日: | 2017-11-28 |
公开(公告)号: | CN107991768A | 公开(公告)日: | 2018-05-04 |
发明(设计)人: | 杨宇东;毛海央 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | G02B26/08 | 分类号: | G02B26/08;B82Y20/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本公开提供了一种MEMS光学器件、光吸收纳米结构及其制备方法。其中,所述光吸收纳米结构的制备方法,包括以下步骤提供基底;在所述基底上形成聚合物层;利用所述聚合物层形成纳米森林结构;以及在所述纳米森林结构上覆盖金属纳米颗粒或金属纳米薄膜。本公开结合了纳米森林结构的陷光效应和金属纳米结构的表面等离激元效应,实现了宽光谱高吸收功能。 | ||
搜索关键词: | mems 光学 器件 光吸收 纳米 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种光吸收纳米结构的制备方法,包括以下步骤:提供基底;在所述基底上形成聚合物层;利用所述聚合物层形成纳米森林结构;以及在所述纳米森林结构上覆盖金属纳米颗粒和/或金属纳米薄膜。
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