[发明专利]鳍式场效晶体管装置结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201711217315.1 | 申请日： | 2017-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN109427894B | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 陈维邦;郭廷晃;张简旭珂;郑志成 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;张福根 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供鳍式场效晶体管装置结构及其形成方法。方法包含在基底上形成多个鳍式结构，且基底包含第一区和第二区。方法包含形成多个隔离结构环绕鳍式结构，且隔离结构中每一个的顶面低于鳍式结构中每一个的顶面，以及隔离结构包含在第一区上的第一隔离结构和在第二区上的第二隔离结构。方法包含在第一隔离结构上形成掩模层以暴露出第二隔离结构，以及移除第二隔离结构的一部分，使得第二隔离结构中每一个的顶面低于第一隔离结构中每一个的顶面。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍式场效 晶体管 装置 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种鳍式场效晶体管装置结构的形成方法，包括：在一基底上形成多个鳍式结构，其中该基底包括一第一区和一第二区；形成多个隔离结构环绕所述多个鳍式结构，其中所述多个隔离结构中每一个的顶面低于所述多个鳍式结构中每一个的顶面，且所述多个隔离结构包含在该第一区上的多个第一隔离结构，以及在第二区上的多个第二隔离结构；在所述多个第一隔离结构上形成一掩模层以暴露出所述多个第二隔离结构；以及移除所述多个第二隔离结构的一部分，使得所述多个第二隔离结构中每一个的顶面低于所述多个第一隔离结构中每一个的顶面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711217315.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
