[发明专利]一种LED封装方法

摘要

本发明涉及一种LED封装方法，该方法包括：选取散热基板；利用焊接工艺将紫外芯片焊接在所述散热基板上；在所述紫外芯片上生长下层硅胶；在所述下层硅胶上生长球形硅胶透镜；在所述球形硅胶透镜上生长上层硅胶以完成所述LED的封装。本发明的LED封装结构通过采用具有通孔结构的铁散热基板增加了LED的散热效果，采用球形硅胶透镜结构可以保证LED芯片能够更好的透过封装材料照射出去，提高了光的透射率。

主权项

1.一种LED封装方法，其特征在于，包括：/n选取散热基板；/n利用焊接工艺将紫外芯片焊接在所述散热基板上；/n在所述紫外芯片上生长下层硅胶；/n在所述紫外芯片上生长下层硅胶，包括：/n在所述紫外芯片上方涂覆第一硅胶层，其中所述第一硅胶层中不含有荧光粉；/n利用第一半球形模具在所述第一硅胶层上形成半球形凹槽；/n在90℃～125℃温度下，将带有所述第一半球形模具的所述第一硅胶层烘烤15～60min；/n去除所述第一半球形模具，形成所述下层硅胶，所述下层硅胶为耐高温硅胶；在所述下层硅胶上生长球形硅胶透镜；/n在所述下层硅胶上生长球形硅胶透镜，包括：/n在所述半球形凹槽上涂覆第二硅胶层，其中所述第二硅胶层不含荧光粉；/n利用第二半球形模具在所述第二硅胶层上形成第一半球形硅胶；/n在90℃～125℃温度下，将带有半球形模具的所述第二硅胶层烘烤15～60min；/n去除所述第二半球形模具，形成所述球形硅胶透镜，所述球形硅胶透镜的直径为10～200微米，所述球形硅胶透镜之间的间距为10～200微米；/n在所述球形硅胶透镜上生长上层硅胶以完成所述LED的封装，所述球形硅胶透镜位于下层硅胶与上层硅胶界面处，所述下层硅胶的折射率小于所述上层硅胶的折射率，所述球形硅胶透镜的折射率大于所述下层硅胶和所述上层硅胶的折射率；/n在所述球形硅胶透镜上生长上层硅胶，包括：/n在所述球形硅胶透镜上涂覆第三硅胶层，其中所述第三硅胶层含有荧光粉；/n利用第三半球形模具在所述第三硅胶层内形成第二半球形硅胶；/n在90℃～125℃温度下，将带有第三半球形模具的所述第三硅胶层烘烤15～60min；/n去除所述第三半球形模具，形成所述上层硅胶。/n