[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，其中，方法包括：在衬底上形成隔离层，所述隔离层覆盖所述原始鳍部侧壁；去除至少部分第一区域原始鳍部，在所述第一区域隔离层中形成第一开口；形成覆盖所述第一开口侧壁的第一初始掺杂层，所述第一初始掺杂层中具有第一防穿通粒子；形成所述第一初始掺杂层之后，在所述第一开口中形成第一外延鳍部；形成所述第一外延鳍部之后，对所述第一初始掺杂层进行刻蚀，去除部分第一初始掺杂层，形成第一掺杂层；形成第一外延鳍部之后，进行退火处理。在所述退火处理过程中，所述第一掺杂层中的第一防穿通粒子不容易扩散进入所述第二区域原始鳍部中，从而不容易影响所述第二区域原始鳍部所形成的半导体器件的性能。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括相邻的第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域衬底上分别具有原始鳍部；在所述衬底上形成隔离层，所述隔离层覆盖所述原始鳍部侧壁；去除至少部分第一区域原始鳍部，在所述第一区域隔离层中形成第一开口；形成覆盖所述第一开口侧壁的第一初始掺杂层，所述第一初始掺杂层中具有第一防穿通粒子；形成所述第一初始掺杂层之后，在所述第一开口中形成第一外延鳍部；形成所述第一外延鳍部之后，去除部分隔离层形成隔离结构，并去除部分第一初始掺杂层形成第一掺杂层；进行退火处理，使所述第一掺杂层中的防穿通粒子扩散进入所述第一外延鳍部中，形成第一防穿通层。