[发明专利]沟道孔的底部刻蚀方法

摘要

本发明涉及沟道孔的底部刻蚀方法，该刻蚀方法具体包括以下步骤：提供晶圆结构，晶圆结构包括衬底和位于衬底上的多层堆叠结构，多层堆叠结构内设有沟道孔，沟道孔的底部生长有外延硅，沟道孔的侧壁以及外延硅的上表面沉积有多层膜结构；在多层堆叠结构的上表面沉积高聚物保护膜；进行沟道孔底部刻蚀，直至高聚物保护膜消耗完毕；重复进行步骤b和步骤c至少一次；再次在多层堆叠结构的上表面沉积高聚物保护膜；再次进行沟道孔底部刻蚀，直至使外延硅的上表面暴露。本发明通过采用循环刻蚀的方法，能够有效减少沟道孔顶部硬掩膜的损耗，使底部外延硅充分打开，改善沟道孔刻蚀以及后续制程的工艺窗口。

主权项

沟道孔的底部刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：a.提供晶圆结构，晶圆结构包括衬底和位于衬底上表面的多层堆叠结构，多层堆叠结构内设有沟道孔，沟道孔由多层堆叠结构的上表面延伸至衬底的上表面，沟道孔的底部生长有外延硅，且沟道孔的侧壁以及外延硅的上表面沉积有多层膜结构；b.在多层堆叠结构的上表面沉积高聚物保护膜；c.对沟道孔进行底部刻蚀，直至位于多层堆叠结构的上表面的高聚物保护膜消耗完毕；d.交替重复进行步骤b和步骤c至少一次；e.再次在多层堆叠结构的上表面沉积高聚物保护膜；f.再次对沟道孔进行底部刻蚀，直至位于外延硅上表面的多层膜结构被击穿，外延硅的上表面暴露于沟道孔内。