[发明专利]三维存储器形成方法

摘要

本发明公开了一种三维存储器形成方法，属于半导体技术领域。所述方法包括：提供衬底，在衬底上形成叠层结构和切割线；在叠层结构和切割线上形成第一硬掩膜层；在第一硬掩膜层上形成光阻层；以光阻层为掩膜刻蚀第一硬掩膜层和叠层结构形成第一凹槽，刻蚀第一硬掩膜层和切割线形成第二凹槽；在第一凹槽和第二凹槽中沉积预设厚度的氧化物形成对应的顶层选择栅结构和后栅自对准结构；在后栅自对准结构上自对准形成第二硬掩膜层后，形成沟道孔。本发明中，将顶层选择栅结构和后栅自对准结构的制作同时进行，不仅简化了操作步骤、缩短了三维存储器的生产周期、节约了生产成本，而且降低了因光刻不妥而造成结构损坏的风险，并提高了光刻设备的利用率。

主权项

1.一种三维存储器形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底上形成叠层结构和切割线；在所述叠层结构和所述切割线上形成第一硬掩膜层；在所述第一硬掩膜层上形成光阻层；以所述光阻层为掩膜刻蚀所述第一硬掩膜层和所述叠层结构形成第一凹槽，刻蚀所述第一硬掩膜层和所述切割线形成第二凹槽；在所述第一凹槽和所述第二凹槽中沉积预设厚度的氧化物形成对应的顶层选择栅结构和后栅自对准结构；在所述后栅自对准结构上自对准形成第二硬掩膜层后，形成沟道孔。