[发明专利]薄膜晶体管、制备方法、检测器件、阵列基板及显示装置有效
| 申请号： | 201711190037.5 | 申请日： | 2017-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN107946369B | 公开（公告）日： | 2020-10-13 |
| 发明（设计）人： | 彭锐;贾文斌;叶志杰;胡月;万想;王欣欣;王玉林 | 申请（专利权）人： | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人： | 李弘 |
| 地址： | 230012 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管、制备方法、检测器件、阵列基板及显示装置；薄膜晶体管包括基板，依次设置在基板上的栅极、栅极绝缘层、半导体层、源极和漏极；半导体层与栅极之间通过栅极绝缘层隔开，源极和漏极分别与半导体层连接；栅极绝缘层至少包括第一部分和第二部分；第一部分的下端面设置有栅极，第二部分的上端面设置有半导体层；第一部分的上端面或第二部分的下端面设置有凸起结构，用于使得所述栅极绝缘层的第一部分和第二部分通过凸起结构连接。所述薄膜晶体管、制备方法、检测器件、阵列基板及显示装置能够利用薄膜晶体管的电容变化特性提供基于改变电容的压力、温度等检测或者相应的显示控制功能。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制备 方法 检测 器件 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板，依次设置在所述基板上的栅极、栅极绝缘层、半导体层、源极和漏极；半导体层与栅极之间通过栅极绝缘层隔开，源极和漏极分别与半导体层连接；所述栅极绝缘层至少包括第一部分和第二部分；所述第一部分的下端面设置有栅极，所述第二部分的上端面设置有半导体层；所述第一部分的上端面或所述第二部分的下端面设置有凸起结构，用于使得所述栅极绝缘层的第一部分和第二部分通过所述凸起结构连接。
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