[发明专利]一种鳍式场效晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 201711174987.9 | 申请日： | 2017-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN107958843A | 公开（公告）日： | 2018-04-24 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 严罗一 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种鳍式场效晶体管及其制作方法，本发明在鳍垂直方向上得到相同厚度的栅极层，在鳍(FIN)中间还具有中空的鳍片形空腔，能有效降低鳍有效沟道底部的漏电。本发明的鳍式场效应晶体管(FinFET)的制造工艺中，通过伪鳍形成中空的鳍结构，能降低漏电；另外，鳍的上下厚度一致，器件性能能得到显著的提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 鳍式场效 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效晶体管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成一埋氧层；S2在所述埋氧层上形成第一半导体鳍片层；S3在经S2步骤处理后的所述第一半导体鳍片层的外表面的顶面和侧面形成第二半导体鳍片层；S4去除所述第一半导体鳍片层以形成所述第二半导体鳍片层内的鳍片形空腔；S5在所述第二半导体鳍片层外表面的顶面和侧面，以及埋氧层的上表面形成一栅氧化层；S6在所述栅氧化层上表面形成一栅极层；S7图案化所述栅氧化层和栅极层，使所述栅氧化层和栅极层的两端面的所述第二半导体鳍片层以俯视的视角中被暴露；S8继续进行栅极工艺及源漏极制备工艺，并最终形成鳍式场效晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
