[发明专利]背沟道蚀刻型氧化物半导体TFT基板的制作方法

摘要

本发明提供一种背沟道蚀刻型氧化物半导体TFT基板的制作方法，通过先在源极、漏极及有源层上沉积第一钝化层，然后采用含氧元素的等离子体对所述第一钝化层表面进行处理，使微量的氧元素经由所述第一钝化层渗透至所述有源层的沟道区的浅表层，对沟道区的浅表层进行氧元素的补充，保证浅表层的氧元素平衡，并且在等离子处理过程中，所述第一钝化层起到源极和漏极的阻挡层的作用，这样仅有微量的氧元素能够到达源极和漏极，不足以对源极和漏极造成氧化，保证TFT的工作稳定性。

主权项

一种背沟道蚀刻型氧化物半导体TFT基板的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成栅极(20)，在所述衬底基板(10)上形成覆盖栅极(20)的栅极绝缘层(30)，在所述栅极绝缘层(30)上形成对应于栅极(20)上方的有源层(40)，所述有源层(40)为金属氧化物半导体材料；在所述有源层(40)与栅极绝缘层(30)上形成源极(51)与漏极(52)，所述源极(51)与漏极(52)在所述有源层(40)上限定出位于所述源极(51)与漏极(52)之间的沟道区(41)、位于所述沟道区(41)一侧且与所述源极(51)相接触的源极接触区(42)以及位于所述沟道区(41)另一侧且与所述漏极(52)相接触的漏极接触区(43)；在所述源极(51)、漏极(52)及有源层(40)上沉积第一钝化层(61)；采用含氧元素的等离子体对所述第一钝化层(61)表面进行处理，氧元素经由所述第一钝化层(61)渗透至所述有源层(40)的沟道区(41)的浅表层(415)，对沟道区(41)的浅表层(415)进行氧元素的补充，保证浅表层(415)的氧元素平衡；在所述第一钝化层(61)上沉积第二钝化层(62)；在所述第一钝化层(61)与第二钝化层(62)上形成对应于所述源极(51)上方的通孔(65)；在所述第二钝化层(62)上形成像素电极(70)，所述像素电极(70)经由所述通孔(65)与所述源极(51)相接触。