[发明专利]半导体元件及半导体单元阵列

摘要

一种半导体元件，包括多鳍有源区、单鳍有源区、及在多鳍有源区与单鳍有源区之间的隔离特征。多鳍有源区包括第一群鳍、平行于第一群鳍的第二群鳍、设置在第一群鳍上方的第一n型场效晶体管、设置在第二群鳍上方的第一p型场效晶体管。单鳍有源区邻接多鳍有源区。单鳍有源区包括第一鳍、与第一鳍不同的第二鳍、设置在第一鳍上方的第二n型场效晶体管、及设置在第二鳍上方的第二p型场效晶体管。

主权项

1.一种半导体元件，其特征在于，包含：一多鳍有源区，包括：一第一群鳍；一第二群鳍，该第二群鳍平行于该第一群鳍；一第一n型场效晶体管，该第一n型场效晶体管包括设置在该第一群鳍上方的一第一栅极结构及在该第一栅极结构的任一侧面上的第一源极/漏极触点，所述第一源极/漏极触点分别设置在该第一群鳍上方；一第一p型场效晶体管，该第一p型场效晶体管包括设置在该第二群鳍上方的该第一栅极结构及在该第一栅极结构的任一侧面上的第二源极/漏极触点，所述第二源极/漏极触点分别设置在该第二群鳍上方；一单鳍有源区，邻接该多鳍有源区，该单鳍有源区包括：一第一鳍，一第二鳍，该第二鳍与该第一鳍不同，一第二n型场效晶体管，该第二n型场效晶体管包括设置在该第一鳍上方的一第二栅极结构及在该第二栅极结构的任一侧面上的第三源极/漏极触点，所述第三源极/漏极触点分别设置在该第一鳍上方，一第二p型场效晶体管，该第二p型场效晶体管包括设置在该第二鳍上方的该第二栅极结构及在该第二栅极结构的任一侧面上的第四源极/漏极触点，所述第四源极/漏极触点分别设置在该第二鳍上方；以及一隔离特征，该隔离特征在该多鳍有源区与该单鳍有源区之间，该隔离特征平行于所述第一栅极结构及所述第二栅极结构。