[发明专利]3D NAND栅极线狭缝沟槽的分步循环刻蚀方法

摘要

提供了一种3D NAND栅极线狭缝沟槽的分步循环刻蚀方法，通过将3D NAND栅极线狭缝沟槽刻蚀流程中的两个刻蚀步骤ME1和ME2分别分拆为多个子步骤，然后交替实施ME1和ME2的这多个子步骤，在循环实施完毕上述子步骤之后再实施OE步骤，从而通过ME1和ME2的交替蚀刻，平衡了氧化介质层刻蚀速率和氮化物介质层的刻蚀速率。通过实施上述分步循环刻蚀工艺，能够得到形貌较好的深沟槽结构，并扩大了刻蚀工艺的窗口，从而将栅极线狭缝沟槽制备为良好的锥形形貌，利于后续钨的填充，由此提升了干法刻蚀之后的工艺质量，减少了空隙缺陷的产生，提升了产品良率。

主权项

一种3D NAND栅极线狭缝沟槽的分步循环刻蚀方法，其特征在于：将第一主刻蚀(ME1)和第二主刻蚀(ME2)均分拆为N步，其中N≥2，从而使得ME1和ME2均被划分为N个子步骤，然后交替实施ME1和ME2的这N个子步骤，并在N个子步骤循环实施完毕之后再实施过刻蚀(OE)。