[发明专利]接触开口结构与制作方法及其应用有效
| 申请号： | 201711130187.7 | 申请日： | 2017-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN109801938B | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 李岱萤;李峰旻;林昱佑 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L45/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种接触开口结构，包括：基材、层间介电层、导电层以及绝缘覆盖层。层间介电层位于基材之上，且具有第一开口。导电层位于层间介电层中。绝缘覆盖层具有位于第一开口的第一侧壁上的间隙壁，其中间隙壁与导电层接触，并在第一开口中定义出一个第二开口，以将一部分导电层暴露在外。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 开口 结构 制作方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
1.一种接触开口(contact hole)结构，包括：一基材；一层间介电层，位于该基材之上，且具有一第一开口；一导电层，位于该层间介电层中，并对准该第一开口；以及一绝缘覆盖层，具有位于该第一开口的一第一侧壁上的一间隙壁，其中该间隙壁与该导电层接触，并在该第一开口中定义出一第二开口，藉以将一部分该导电层暴露在外。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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