[发明专利]一种叠层封装结构及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201711116519.6 申请日: 2017-11-13
公开(公告)号: CN107993988A 公开(公告)日: 2018-05-04
发明(设计)人: 郑清毅 申请(专利权)人: 芯原微电子(上海)有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/367;H01L21/50;H01L21/56
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 代理人: 余明伟
地址: 201203 上海市浦东新区*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种叠层封装结构及其制备方法,所述制备方法包括提供第一封装体,并于所述第一封装体上形成有复数个导电栓;于所述第一封装体上形成第一热界面材料层;于所述第一热界面材料层上粘合第一散热构件,所述第一散热构件上设有暴露出所述导电栓的通孔;于所述第一散热构件上形成第二封装体,所述第二封装体通过导电栓与所述第一封装体电连接;其中,所述第一散热构件的长度大于所述第二封装体的长度,所述第一散热构件的宽度大于所述第二封装体的宽度,且所述第一散热构件的深度小于或等于所述第二封装体的高度。通过本发明所述的叠层封装结构及其制备方法,解决了现有封装结构中,下层封装体中的芯片散热能力较差的问题。
搜索关键词: 一种 封装 结构 及其 制备 方法
【主权项】:
一种叠层封装结构的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:提供第一封装体,并于所述第一封装体上形成有复数个导电栓;于所述第一封装体上形成第一热界面材料层;于所述第一热界面材料层上粘合第一散热构件,所述第一散热构件上设有暴露出所述导电栓的通孔;于所述第一散热构件上形成第二封装体,所述第二封装体通过导电栓与所述第一封装体电连接;其中,所述第一散热构件的长度大于所述第二封装体的长度,所述第一散热构件的宽度大于所述第二封装体的宽度,且所述第一散热构件的深度小于或等于所述第二封装体的高度。
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