[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201711112822.9 | 申请日： | 2017-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN107799608A | 公开（公告）日： | 2018-03-13 |
| 发明（设计）人： | 宁洪龙;胡诗犇;彭俊彪;姚日晖;卢宽宽;陶瑞强;蔡炜;刘贤哲;陈建秋;徐苗 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/45;H01L21/34 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人： | 罗啸秋 |
| 地址： | 511458 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体材料领域，公开了一种薄膜晶体管及其制备方法和应用。所述薄膜晶体管由衬底、衬底上设置的栅极、栅极表面包覆的绝缘层、绝缘层上表面的有源层、有源层两侧的源漏电极和最外层的钝化层构成；所述源漏电极与有源层和绝缘层两侧及衬底上表面接触，所述钝化层覆盖源漏电极和有源层外表面。本发明使用电阻率较低的铜来取代传统的铝作为源漏电极材料，所得器件获得了低阻抗延迟的效果，而且通过在器件外表面沉积一层钝化层，会在有源层表面提高载流子浓度和加速载流子的传输，从而提高迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于：所述薄膜晶体管由衬底、衬底上设置的栅极、栅极表面包覆的绝缘层、绝缘层上表面的有源层、有源层两侧的源漏电极和最外层的钝化层构成；所述源漏电极与有源层和绝缘层两侧及衬底上表面接触，所述钝化层覆盖源漏电极和有源层外表面。
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