[发明专利]用于化学处理半导体衬底的方法和设备在审
| 申请号： | 201711100490.2 | 申请日： | 2017-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN108735595A | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | I.梅尔尼克;P.法思;W.约斯 | 申请（专利权）人： | RCT解决方法有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 侯宇 |
| 地址： | 德国康*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于在唯一的步骤中非对称式处理晶圆(2)的设备和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 方法和设备 化学处理 对称式 衬底 晶圆 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种用于化学处理半导体衬底(2)的方法，其包括下述步骤：1.1.制备带有正面(20)和背面(19)的半导体衬底(2)，1.2.制备用于对所述半导体衬底(2)进行织构化的设备(1)，该设备具有用于容纳刻蚀介质(4)的槽(3)，1.3.制备所述槽(3)中的刻蚀介质(4)，1.4.把所述半导体衬底(2)引入所述槽(3)，1.4.1.其中，所述半导体衬底(2)的正面(20)和背面(19)都至少暂时地完全浸入刻蚀介质(4)，1.5.借助所述刻蚀介质(4)处理所述半导体衬底(2)，使得所述半导体衬底(2)的背面(19)具有的反射度(RR)比所述半导体衬底(2)的正面(20)的反射度(RV)大至少2％。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于RCT解决方法有限责任公司，未经RCT解决方法有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711100490.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
