[发明专利]载流子浓度调制型高迁移率场效应晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201711098948.5 | 申请日： | 2017-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN107958932A | 公开（公告）日： | 2018-04-24 |
| 发明（设计）人： | 张世勇;童小东;徐建星;郑鹏辉;谭为 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/10;H01L21/335 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙)51211 | 代理人： | 蒋斯琪 |
| 地址： | 621999 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了载流子浓度调制型高迁移率场效应晶体管及其制造方法，包括位于底部的器件衬底，器件衬底上表面形成有外延层，外延层的两端部形成有源极欧姆接触和漏极欧姆接触，外延层与器件衬底之间界面处形成有一定的载流子浓度调制的二维电子气，外延层上端形成有T形金属栅；所述二维电子气的浓度靠近源级欧姆接触的一端较低，靠近漏极欧姆接触的一端较高，二维电子气的浓度的变化趋势为线性渐变或阶梯变化。本发明采用高浓度的二维电子气，可保证器件在高电压的时候不会发生穿通击穿；通过二维电子气的浓度调制，可以平衡频率特性，防止串通击穿，提高击穿电压；而且本发明制造工艺简单、不增加器件的工艺步骤、适用于功率器件和射频器件。 | ||
| 搜索关键词： | 载流子 浓度 调制 迁移率 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
载流子浓度调制型高迁移率场效应晶体管，其特征在于：包括位于底部的器件衬底（100），器件衬底（100）上表面形成有外延层（110），外延层（110）的两端部形成有源极欧姆接触（130）和漏极欧姆接触（140），外延层（110）与器件衬底（100）之间界面处形成有一定的载流子浓度调制的二维电子气（150），外延层（110）上端形成有T形金属栅（120）；所述二维电子气（150）的浓度靠近源级欧姆接触的一端较低，靠近漏极欧姆接触的一端较高，二维电子气（150）的浓度的变化趋势为线性渐变或阶梯变化。
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