[发明专利]半导体装置、半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201711077497.7 | 申请日： | 2017-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN108735705B | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 彭士玮;陈志良;杨超源;杨惠婷;曾健庭;林威呈 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置或结构包括第一图案金属层，所述第一图案金属层设置在第一供电金属区与第二供电金属区之间，所述第一图案金属层包括内部路线及电源路线。跟随引脚将第一供电金属区耦合到电源路线。第二供电金属区比第一供电金属区宽。第一供电金属区具有与第一图案金属层实质上相同的厚度。第一供电金属区包含第一金属且跟随引脚包含第二金属。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：第一图案金属层，设置在第一供电金属区与第二供电金属区之间，所述第一图案金属层包括：内部路线；以及第一电源路线；以及跟随引脚，将所述第一供电金属区耦合到所述第一电源路线。
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