[发明专利]一种3DNAND存储器的层叠结构的薄膜层厚度测量方法

摘要

本申请实施例公开了一种3D NAND存储器的层叠结构的薄膜层厚度测量方法。该方法将厚度测量薄膜层结构的各层薄膜层断面形成锯齿状形貌，如此，该锯齿状形貌的各层薄膜层断面的SEM图像为明暗相间的条纹，通过对该明暗相间的条纹进行处理，即可得到厚度测量薄膜层结构的各层薄膜层的厚度，因为3D NAND存储器的层叠结构的各层薄膜层厚度与厚度测量薄膜层结构的各层薄膜层厚度一致，因此，测量得到的厚度测量薄膜层结构的各层薄膜层厚度即为3D NAND存储器的层叠结构的各层薄膜层厚度。该测量方法为非破坏性测量，测量周期短，有利于规模化量产工艺。另外，该测量方法可以直接测量特定层薄膜厚度，从而有利于薄膜沉积工艺的稳定性监测。

主权项

一种3D NAND存储器的层叠结构的薄膜层厚度测量方法，其特征在于，包括：在衬底上形成与衬底表面平行的多层牺牲层和绝缘层交替堆叠的3D NAND存储器的层叠结构，同时，在衬底上形成与衬底表面垂直的多层牺牲层和绝缘层交替堆叠的厚度测量薄膜层结构；所述厚度测量薄膜层结构中的薄膜层厚度与3D NAND存储器的层叠结构中的对应位置的薄膜层厚度一致；对厚度测量薄膜层结构进行表面平坦化，直至厚度测量薄膜层结构中的每层薄膜层均露出断面；刻蚀厚度测量薄膜层结构中的牺牲层或绝缘层，以使该厚度测量薄膜层结构的断面形貌形成锯齿状形貌；利用扫描电子显微镜对厚度测量薄膜层结构的断面形貌进行扫描成像，生成明暗相间的条纹；对明暗相间的条纹进行图像处理，从而得到厚度测量薄膜层结构中的各层薄膜层厚度，进而得到3D NAND存储器的层叠结构的薄膜层厚度。