[发明专利]一种四元系透明衬底发光二极管及其制作方法

摘要

本申请提供一种四元系透明衬底发光二极管制作方法和四元系透明衬底发光二极管，提出透明衬底键合技术，将四元系GaAs衬底发光二极管外延片转移至透明衬底上，代替吸光材质的衬底，从而提高发光效率，另外，对GaP层进行了粗化，并且在GaP层上形成了渐变折射率复合薄膜层，所述渐变折射率复合薄膜层能够增加透光率，进一步提高发光二极管的光提取率。进一步地，由于所述渐变折射率复合薄膜层的最外侧为SOG键合层，相对于现有技术中的氧化硅键合层，能够提高键合能力，使得键合更加牢固，可以有效提高键合良率。

主权项

1.一种四元系透明衬底发光二极管制作方法，其特征在于，包括：提供四元系发光二极管外延片和透明衬底，所述四元系发光二极管外延片包括衬底、发光二极管的外延结构和GaP层；对所述GaP层进行粗化；在粗化后的所述GaP层表面形成渐变折射率复合薄膜层，所述渐变折射率复合薄膜层背离所述GaP层的表面为旋涂玻璃SOG键合层，所述渐变折射率复合薄膜层包括层叠设置的多层薄膜层，所述多层薄膜层的折射率沿所述GaP层至所述SOG键合层逐渐降低；在所述透明衬底上形成键合层；对所述SOG键合层和所述键合层分别进行平坦化处理，并清洗后进行表面活化处理；将所述键合层与所述SOG键合层键合，得到半成品；去除所述半成品背离所述透明衬底一侧的衬底，完成四元系透明衬底发光二极管的制作。