[发明专利]制造具有优化栅极氧化物厚度的存储器件

摘要

本公开描述了制造具有优化栅极氧化物厚度的存储器件，例如，用于制造具有优化的栅极氧化物厚度的可编程存储器件的装置和方法。在一些方面中，光刻掩模用于制造集成电路(IC)管芯的可编程存储器件的氧化物栅极，其薄于IC管芯的处理器核心器件的氧化物栅极。在其他方面中，光刻掩模用于制造IC管芯的可编程存储器件的氧化物栅极，使得它们厚于为IC管芯的处理器核心器件制造的氧化物栅极。如此，可编程存储器件可以制造为具有优化的栅极氧化物厚度，这可以降低编程电压或者增加可编程存储器件的器件可靠性。

主权项

1.一种方法，包括：露出集成电路(IC)管芯的可编程存储器件和处理器核心器件的相应栅极区域，并且封闭所述IC管芯的输入/输出(I/O)器件的栅极区域；从所述可编程存储器件和所述处理器核心器件的露出的相应栅极区域中蚀刻第一层的氧化物材料；在所述IC管芯上形成第二层的氧化物材料，所述第二层的氧化物材料涂覆所述可编程存储器件、所述处理器核心器件和所述I/O器件的相应栅极区域；露出所述可编程存储器件的栅极区域，并且封闭所述处理器核心器件和所述I/O器件的相应栅极区域；从所述可编程存储器件的露出的栅极区域中蚀刻所述第二层的氧化物材料；以及在所述IC管芯上形成第三层的氧化物材料，所述第三层的氧化物材料涂覆所述IC管芯的所述可编程存储器件、所述处理器核心器件和所述I/O器件的相应栅极区域。