[发明专利]一种IGBT芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201711045344.4 | 申请日： | 2017-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN109728081A | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 王志伟 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L23/544;H01L21/331 |
| 代理公司： | 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325 | 代理人： | 谭果林 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 为克服现有IGBT芯片的封装结构中温度检测存在滞后性，影响模块保护效果的问题，本发明提供了一种IGBT芯片，包括绝缘栅极双极晶体管区和二极管区；所述二极管区包括硅层、第一电极和第二电极，所述硅层上形成有二极管P型区和二极管N型区，所述第一电极与所述二极管P型区电耦合，所述第二电极与所述二极管N型区电耦合；所述绝缘栅极双极晶体管区具有衬底，所述衬底的部分区域覆盖有场氧区，所述硅层形成于所述场氧区上，以使所述二极管区和所述绝缘栅极双极晶体管区相互绝缘导热。同时，本发明还公开了上述IGBT芯片的制备方法。本发明提供的IGBT芯片集成了可用于温度感应的二极管区，能够提高温度感应的速度和准确性，保护IGBT芯片不被热损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 二极管区 绝缘栅极双极晶体管 硅层 第二电极 第一电极 温度感应 场氧区 电耦合 衬底 制备 封装结构 绝缘导热 区域覆盖 温度检测 影响模块 热损坏 滞后性 可用 | ||
【主权项】：
1.一种IGBT芯片，其特征在于，包括用于电导通控制的绝缘栅极双极晶体管区和用于感应所述绝缘栅极双极晶体管区的温度的二极管区；所述二极管区包括硅层、第一电极和第二电极，所述硅层上形成有二极管P型区和二极管N型区，所述第一电极与所述二极管P型区电耦合，所述第二电极与所述二极管N型区电耦合；所述绝缘栅极双极晶体管区具有衬底，所述衬底的部分区域覆盖有场氧区，所述硅层形成于所述场氧区上，以使所述二极管区和所述绝缘栅极双极晶体管区相互绝缘导热。
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