[发明专利]一种基于拉丁方矩阵构造的低冗余矩阵码对存储器进行加固方法有效

专利信息
申请号: 201711034005.6 申请日: 2017-10-30
公开(公告)号: CN107680629B 公开(公告)日: 2020-08-25
发明(设计)人: 郭靖;朱磊;刘文怡;熊继军 申请(专利权)人: 中北大学;齐齐哈尔大学
主分类号: G11C7/24 分类号: G11C7/24;G11C8/10
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 岳泉清
地址: 030051 山西省*** 国省代码: 山西;14
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摘要: 一种基于拉丁方矩阵构造的低冗余矩阵码对存储器进行加固方法,涉及低冗余矩阵码构造方法。解决了现有编码器和译码器对存储器进行加固的方式,影响存储器性能的问题。针对单粒子翻转效应中的多单元翻转效应,本发明基于拉丁方矩阵构造的低冗余矩阵码,且该低冗余矩阵码为错误纠错码,对于一个i位信息位,将其排列成一个m×n的矩阵,m≠4,m为行数,n为列数,采用本发明所提出的构造方法构造的低冗余矩阵码,低冗余矩阵码可以纠正随机1位错误,连续2位错误,直至最大连续n‑1位错误,需要冗余位的个数为2n。本发明主要用于对储器进行加固,还用于对磁盘整列以及信息通讯等领域进行保护。
搜索关键词: 一种 基于 拉丁 矩阵 构造 冗余 存储器 进行 加固 方法
【主权项】:
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