[发明专利]一种基于拉丁方矩阵构造的低冗余矩阵码对存储器进行加固方法

说明书

一种基于拉丁方矩阵构造的低冗余矩阵码对存储器进行加固方法，涉及低冗余矩阵码构造方法。解决了现有编码器和译码器对存储器进行加固的方式，影响存储器性能的问题。针对单粒子翻转效应中的多单元翻转效应，本发明基于拉丁方矩阵构造的低冗余矩阵码，且该低冗余矩阵码为错误纠错码，对于一个i位信息位，将其排列成一个m×n的矩阵，m≠4，m为行数，n为列数，采用本发明所提出的构造方法构造的低冗余矩阵码，低冗余矩阵码可以纠正随机1位错误，连续2位错误，直至最大连续n‑1位错误，需要冗余位的个数为2n。本发明主要用于对储器进行加固，还用于对磁盘整列以及信息通讯等领域进行保护。

技术领域

本发明涉及低冗余矩阵码构造方法，具体为集成电路存储器抗辐射加固领域中抗多单元翻转的错误纠错码的设计。

背景技术

在深亚微米尺寸，存储器面临的一个重要威胁是多单元翻转。该现象可以使得存储器的多个单元翻转，从而严重影响电子系统的性能和功能。使用错误纠错码对其加固是一个很好的方法，但是对于两个以上的错误，必须使用纠正能力较高的错误纠错码。但是，编码器和译码器的面积、功耗和延迟将会很大，从而会影响存储器的性能。因此，需要构造一种新的错误纠错码来对存储器进行加固保护。在本发明中，主要是采用了拉丁方来构造了一种新型低冗余矩阵码，来对存储器进行抗多单元翻转的加固。

发明内容

本发明是为了解决现有编码器和译码器对存储器进行加固的方式，影响存储器性能的问题，本发明提供了一种基于拉丁方矩阵构造的低冗余矩阵码对存储器进行加固方法。

一种基于拉丁方矩阵构造的低冗余矩阵码对存储器进行加固方法，所述基于拉丁方矩阵构造的低冗余矩阵码为错误纠错码；

该方法包括如下：

步骤一：对于一个i位信息位，将其排列成一个m×n的矩阵；

i位信息位依次为M₁M₂M₃......M_i-2M_i-1M_i；

其中，m≠4，m为行数，n为列数，i为大于或等于8的整数；

步骤二：构建n位拉丁方矩阵，根据n位拉丁方矩阵对i位信息位进行编码操作，获得的2n位冗余位；所述n位拉丁方矩阵为n×n的矩阵；

2n位冗余位包括n位水平冗余位和n位垂直冗余位；

n位水平冗余位依次为H₁H₂H₃......H_n-2H_n-1H_n；

n位垂直冗余位依次为V₁V₂V₃......V_n-2V_n-1V_n；

步骤三：对读出的2n位冗余位和读出的i位数据位进行译码操作，获得2n位校正子，且2n位校正子包括n位水平校正子和n位垂直校正子；所述读出的i位数据为通过对i位信息位进行读取获得；读出的2n位冗余位为通过对n位水平冗余位和n位垂直冗余位进行读取获得；

n位水平校正子依次为SH₁SH₂SH₃......SH_n-1SH_n；

n位垂直校正子为依次为SV₁SV₂SV₃......SV_n-1SV_n；