[发明专利]一种基于拉丁方矩阵构造的低冗余矩阵码对存储器进行加固方法

权利要求书

1.一种基于拉丁方矩阵构造的低冗余矩阵码对存储器进行加固方法，所述基于拉丁方矩阵构造的低冗余矩阵码为错误纠错码；

该方法包括如下：

步骤一：对于一个i位信息位，将其排列成一个m×n的矩阵；

i位信息位依次为M₁M₂M₃......M_i-2M_i-1M_i；

其中，m≠4，m为行数，n为列数，i为大于或等于8的整数；

步骤二：构建n位拉丁方矩阵，根据n位拉丁方矩阵对i位信息位进行编码操作，获得的2n位冗余位；所述n位拉丁方矩阵为n×n的矩阵；

2n位冗余位包括n位水平冗余位和n位垂直冗余位；

n位水平冗余位依次为H₁H₂H₃......H_n-2H_n-1H_n；

n位垂直冗余位依次为V₁V₂V₃......V_n-2V_n-1V_n；

步骤三：对读出的2n位冗余位和读出的i位数据位进行译码操作，获得2n位校正子，且2n位校正子包括n位水平校正子和n位垂直校正子；所述读出的i位数据为通过对i位信息位进行读取获得；读出的2n位冗余位为通过对n位水平冗余位和n位垂直冗余位进行读取获得；

n位水平校正子依次为SH₁SH₂SH₃......SH_n-1SH_n；

n位垂直校正子为依次为SV₁SV₂SV₃......SV_n-1SV_n；

读出的i位数据位依次为M′₁M′₂M′₃......M′_i-2M′_i-1M′_i；

读出的n位水平冗余位为H'₁H'₂H'₃......H'_n-2H'_n-1H'_n；

读出的n位垂直冗余位为V'₁V'₂V'₃......V'_n-2V'_n-1V'_n；

步骤四：n位水平校正子和n位垂直校正子均作为低冗余矩阵码；

当n位水平校正子和n位垂直校正子中的所有位均为‘0’时，则判定读出的i位数据位未发生错误；

当n位水平校正子和n位垂直校正子中任何一位出现‘1’时，则判定读出的i位数据位发生错误，且读出的i位数据位中发生错误的相应数据位的编号与出现‘1’时所对应的校正子编号相同；然后，对读出的i位数据位中发生错误的相应数据位进行按位取反，从而实现了对读出的错误数据位进行纠偏，进一步实现了对存储器进行加固；

其特征在于，所述步骤二中，构建n位拉丁方矩阵，根据n位拉丁方矩阵对i位信息位进行编码操作，获得的2n位冗余位的具体过程为：

步骤二一：根据m×n的矩阵构造相应的n位拉丁方矩阵，且由上至下取n位拉丁方矩阵中m行、n列的矩阵，并将取的m×n的矩阵m×n的信息位与i位信息位构造的m×n的矩阵的信息位相对应；

步骤二二：按照n位拉丁方矩阵中的m×n的矩阵的计算方式，依次对i位信息位构造的m×n的矩阵中所有行的相应信息位进行异或处理，依次获得相应的水平冗余位，从而获得n位水平冗余位；

步骤二三：按照n位拉丁方矩阵中的m×n的矩阵的计算方式，依次对i位信息位构造的m×n的矩阵中每一列的所有信息位进行异或处理，依次获得相应的垂直冗余位，从而获得n位垂直冗余位。