[发明专利]集成在高低压隔离结构上的自举结构及自举电路

摘要

一种集成在高低压隔离结构上的自举结构及自举电路。自举结构包括兼做高低压隔离结构衬底的第一掺杂类型衬底、兼做漂移区的第二掺杂类型漂移区及兼做衬底接触阱的第一掺杂类型衬底接触阱，在第一掺杂类型衬底接触阱内设有作为衬底接触电极的第一掺杂类型接触区，在第二掺杂类型漂移区上分别设有自举结构正电极和自举结构负电极，自举结构正电极为设在第二掺杂类型漂移区内的一个第二掺杂类型接触区，自举结构负电极为设在第二掺杂类型漂移区内的另一个第二掺杂类型接触区，自举结构正电极与第一掺杂类型接触区相邻。自举电路包括自举结构和自举电容，在自举结构正电极上连接有二极管，自举电容与自举结构负电极连接。

主权项

一种集成在高低压隔离结构上的自举结构，包括兼做高低压隔离结构衬底的第一掺杂类型衬底(01)、兼做高低压隔离结构漂移区的第二掺杂类型漂移区(06)及兼做高低压隔离结构衬底接触阱的第一掺杂类型衬底接触阱(08)，其特征在于，在第一掺杂类型衬底接触阱(08)内设有作为衬底接触电极的第一掺杂类型接触区(14)，在第二掺杂类型漂移区(06)上分别设有自举结构正电极和自举结构负电极，所述自举结构正电极为设在第二掺杂类型漂移区(06)内的一个第二掺杂类型接触区(11)，所述自举结构负电极为设在第二掺杂类型漂移区(06)内的另一个第二掺杂类型接触区(12)，并且，自举结构正电极与第一掺杂类型接触区(14)相邻。