[发明专利]互补金属氧化物半导体装置及其形成的方法有效
| 申请号： | 201710973746.4 | 申请日： | 2017-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN108117037B | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 郑钧文;朱家骅 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供一种用于使用牺牲层上平坦表面来将互补金属氧化物半导体CMOS装置与微机电系统MEMS装置集成的方法。在一些实施例中，形成覆盖半导体衬底的后段工艺BEOL互连结构，其中所述BEOL互连结构包含第一介电区域。使牺牲层形成于所述第一介电区域上方且形成覆盖所述牺牲层及所述第一介电区域的第二介电区域。使平坦化执行到所述第二介电区域的上表面中以平坦化所述上表面。使MEMS结构形成于所述第二介电区域的所述平坦上表面上。使空腔蚀刻穿过所述MEMS结构执行到所述牺牲层中以移除所述牺牲层且形成替代所述牺牲层的空腔。本发明实施例还提供一种由所述方法产生的集成电路IC。本发明实施例提供的方法可以实现短封装时间及低封装复杂性。 | ||
| 搜索关键词： | 互补 金属 氧化物 半导体 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造集成电路IC的方法，所述方法包含：形成覆盖半导体衬底的后段工艺BEOL互连结构，其中所述BEOL互连结构包含堆叠于第一介电区域中的数个布线层；使牺牲层形成于所述第一介电区域上方；形成覆盖所述牺牲层及所述第一介电区域的第二介电区域；使平坦化执行到所述第二介电区域的上表面中以平坦化所述第二介电区域的所述上表面；使微机电系统MEMS结构形成于所述第二介电区域的所述平坦上表面上；及执行空腔蚀刻，所述蚀刻穿过所述MEMS结构并到达所述牺牲层中，以移除所述牺牲层且形成替代所述牺牲层的空腔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710973746.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
