[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 201710915907.4 | 申请日： | 2017-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN107919419B | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 肖云飞;刘春杨;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。包括衬底、以及依次层叠在衬底上的低温缓冲层、反射层、高温缓冲层、N型层、浅阱层、多量子阱有源层、低温P型层、P型电子阻挡层、高温P型层、P型接触层，反射层为SixN层，0＜x＜1，反射层中Si的浓度从靠近低温缓冲层的一侧开始到远离低温缓冲层的一侧逐渐降低。SixN反射层的折射率也会随着Si的浓度逐渐降低而逐渐减小，SixN反射层的折射率从光线入射的方向逐渐增大，反射率逐渐增大，从而使得多量子阱有源层产生的向下运行的部分光子被反射回来，从衬底反射的光线进入SixN反射层时，反射层的透过率逐渐增大，增加了LED的正面出光。 | ||
| 搜索关键词： | 反射层 低温缓冲层 逐渐增大 衬底 氮化镓基发光二极管 多量子阱有源层 逐渐降低 外延片 折射率 反射 半导体技术领域 高温缓冲层 光线入射 依次层叠 逐渐减小 反射率 透过率 光子 浅阱 制造 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓基发光二极管外延片，所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的低温缓冲层、反射层、高温缓冲层、N型层、浅阱层、多量子阱有源层、低温P型层、P型电子阻挡层、高温P型层、P型接触层，其特征在于，所述反射层为SixN层，0＜x＜1，所述反射层中Si的浓度从靠近所述低温缓冲层的一侧开始到远离所述低温缓冲层的一侧逐渐降低。
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