[发明专利]一种15μm铜厚的封装方法在审
| 申请号： | 201710879080.6 | 申请日： | 2017-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN107895698A | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 于政;方梁洪;罗立辉;彭祎 | 申请（专利权）人： | 宁波芯健半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所31233 | 代理人： | 黄志达,魏峯 |
| 地址： | 315336 浙江省宁波市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种15μm铜厚的封装方法，包括钝化、溅射、涂胶、电镀、去胶、涂胶、电镀、去胶和回流。本发明优化了工艺流程，降低了封装成本，满足了电子产品的高度精微化，具有良好的应用前景；与常规8μm厚再布线相比，15μm铜厚满足走大电流的需求，能够快速散热；通常大功率芯片要求散热好，耐大电流，本发明使得此类芯片能够更好的应用于智能设备类产品。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 15 封装 方法 | ||
【主权项】：
一种15μm铜厚的封装方法，包括：(1)在晶圆表面涂覆聚酰亚胺再钝化层；(2)在再钝化层表面溅射Ti阻挡层和Cu种子层；(3)使用AZ P4620光刻胶，经烘烤、曝光、显影，得到再布线图形；(4)通过ECD电镀15μm铜厚，其中，采用的电镀液为SC28铜电镀液；在电镀后去除光阻材料；(5)使用JSR THB151N光刻胶，经曝光、显影，得到凸点图形；(6)电镀铜、锡形成铜锡柱；使用KS3504去胶液，进行去胶并腐蚀掉图形外的溅射钛铜层，得到凸点；(7)最后将电镀的锡回流成球形，即可。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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