[发明专利]真空低压超浅层渗碳热处理方法在审
| 申请号： | 201710865308.6 | 申请日： | 2017-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN107740032A | 公开（公告）日： | 2018-02-27 |
| 发明（设计）人： | 吴小平 | 申请（专利权）人： | 成都万可瑞特金属科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C8/22 | 分类号： | C23C8/22;C23C8/80 |
| 代理公司： | 成都其高专利代理事务所(特殊普通合伙)51244 | 代理人： | 廖曾 |
| 地址： | 610000 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了真空低压超浅层渗碳热处理方法，通过抽真空的方式形成“渗碳‑扩散”脉冲式渗碳过程进行渗碳工艺环节的渗碳阶段处理，解决一般渗碳的热处理工艺周期长、能耗高、成本高，耗时、费工，渗碳质量不稳定，普通渗碳技术渗碳层深度不易保证，渗碳层深度、表面硬度均匀性差的不足之处。通过真空低压超浅层渗碳热处理方法的应用，保证渗碳零件的质量，使渗碳层深度、表面硬度均匀性提高，提高零件渗碳的各项性能指标；缩短渗碳热处理工艺周期，节约能源，降低零件渗碳热处理成本，提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 低压 超浅层 渗碳 热处理 方法 | ||
【主权项】：
真空低压超浅层渗碳热处理方法，其特征在于：进行渗碳工艺环节的渗碳阶段处理，其方式是通过通入渗碳性气体‑抽真空形成“渗碳‑扩散”脉冲渗碳过程。
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