[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置有效
| 申请号： | 201710854370.5 | 申请日： | 2017-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN107871656B | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 山口侑二;基村雅洋 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 向勇;崔炳哲 |
| 地址： | 日本京都*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供基板处理方法及基板处理装置。降低干燥处理中进行疏水化处理时疏水剂的使用量。本发明的基板处理方法用于干燥表面形成有规定图案的基板。此外，本发明的基板处理方法包括：清洗工序，将清洗液存储在密闭的腔室内的处理槽并将所述基板浸渍于所述清洗液中清洗；减压工序，对所述腔室内进行减压；提升工序，将所述基板从所述处理槽的所述清洗液中提升出来；排液工序，从处理槽中排出清洗液；疏水化工序，将腔室内的气氛置换为疏水剂并对所述基板的表面进行疏水化处理。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
一种基板处理方法，用于干燥在表面形成有规定图案的基板，其中，包括：清洗工序，将清洗液存储在密闭的腔室内的处理槽，将所述基板浸渍于所述清洗液中清洗；减压工序，对所述腔室内进行减压；提升工序，将所述基板从所述处理槽的所述清洗液提升出来；排液工序，从所述处理槽排出所述清洗液；以及疏水化工序，将腔室内的气氛置换为疏水剂，对所述基板的表面进行疏水化处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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