[发明专利]一种垂直型氮化镓肖特基二极管的制作工艺在审
| 申请号： | 201710838474.7 | 申请日： | 2017-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN107706244A | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 周炳 | 申请（专利权）人： | 宁波海特创电控有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329;H01L23/485 |
| 代理公司： | 宁波浙成知识产权代理事务所(特殊普通合伙)33268 | 代理人： | 王明超,洪松 |
| 地址： | 315000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种垂直型氮化镓肖特基二极管的制作工艺，包括从下至上依序设置的硅衬底层、N型氮化镓层和P型氮化镓层，该方法包括以下步骤在P型氮化镓层上刻蚀上下贯通的氮化镓沟槽；在氮化镓沟槽内以及P型氮化镓上表面上生长肖特基金属层，在硅衬底层上刻蚀上下贯通的硅通孔；在硅通孔内以及硅衬底层下表面上生长金属层。本发明结构设置合理，通过垂直传输，有效提升肖特基势垒高度而达到降低漏电流和增高击穿电压的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 氮化 镓肖特基 二极管 制作 工艺 | ||
【主权项】：
一种垂直型氮化镓肖特基二极管的制作工艺，其特征在于，包括从下至上依序设置的硅衬底层（3）、N型氮化镓层（2）和P型氮化镓层（1），该方法包括以下步骤：步骤1：在P型氮化镓（1）层上刻蚀上下贯通的氮化镓沟槽（4）；步骤2：在氮化镓沟槽（4）内以及P型氮化镓（1）上表面上生长肖特基金属层（5），在硅衬底层（3）上刻蚀上下贯通的硅通孔（6）；步骤3：在硅通孔（6）内以及硅衬底层（3）下表面上生长金属层（7）。
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