[发明专利]一种降低编程干扰的控制方法及装置在审
| 申请号： | 201710772577.8 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107507646A | 公开（公告）日： | 2017-12-22 |
| 发明（设计）人： | 刘红涛;靳磊;霍宗亮 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C7/24 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本方案提供了一种降低编程干扰的控制方法及装置，该方法应用于存储器件，所述存储器件包括源极、漏极、顶栅和底栅，该控制方法在预充电阶段，在所述存储器件的漏极或顶栅上加载第一预设电压，在所述存储器件的源极或底栅上加载第二预设电压，以使所述存储器件中的沟道通过所述第一预设电压以及所述第二预设电压进行预充电。可见，本方案采用同时对沟道的两端进行预充电，使得沟道上不会有电流产生，因此，不会增加存储器件的功耗，并且，由于沟道上有电压输入，提高了沟道耦合电压，进一步降低了编程干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 编程 干扰 控制 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种降低编程干扰的控制方法，其特征在于，应用于存储器件，所述存储器件包括源极、漏极、顶栅、底栅和存储层，该控制方法包括：在预充电阶段，在所述存储器件的漏极和顶栅上加载第一预设电压，在所述存储器件的源极和底栅上加载第二预设电压，以使所述存储器件中的沟道通过所述第一预设电压以及所述第二预设电压进行预充电。
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