[发明专利]一种3D NAND存储器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种3D NAND存储器件制造方法，在形成氮化硅层和氧化硅层交替层叠的堆叠层之后，在每一个台阶上都形成开口，开口位于上一台阶侧壁的下方且贯通至台阶的氮化硅层中，在将氮化硅层替换为金属层之后，在金属层上开口相应的位置处也会存在凹槽。这样，在金属层的台阶上形成接触塞时，以凹槽作为刻蚀通孔时对准标记。由于该凹槽位于存储器件的阶梯区域，能够真实反映该区域的相对位置关系，同时，该凹槽位于阶梯侧面下方区域，形貌区别于阶梯侧壁的垂直面，增强入射光的反射作用，易于光学成像，可以利用该凹槽作为对准标记，从而实现接触塞的精确对位，提高器件的性能以及晶圆的良率。

主权项

1.一种3D NAND存储器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有氮化硅层和氧化硅层交替层叠的堆叠层，所述堆叠层的侧壁为阶梯结构，每一氮化硅层及其上相邻的氧化硅层为一台阶；在每一台阶中形成开口，所述开口位于上一台阶侧壁的下方且沿着上一台阶侧壁延伸，开口贯通至台阶的氮化硅层中；将氮化硅层置换为金属层，金属层具有凹槽，凹槽位置对应于开口所在位置；在每一金属层的凹槽外的台阶面上形成接触塞，以所述凹槽作为接触塞刻蚀通孔时的对准标记。