[发明专利]一种存储器件、钨形核层及其制备方法有效
| 申请号： | 201710770824.0 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107527864B | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 毛格;彭浩;李远;周烽;唐浩;詹侃;万先进 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆宗力;王宝筠 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种存储器件、钨形核层及其制备方法，其中，所述钨形核层的制备方法包括：获取所述化学气相沉积设备的膜层厚度曲线，所述膜层厚度曲线中记录有所述化学气相沉积设备腔体初始化后制备的薄膜次数与钨形核层厚度的对应关系；根据所述膜层厚度曲线对腔体初始化后的化学气相沉积设备进行预处理，以使所述化学气相沉积设备处于所述膜层厚度曲线的稳定工作区；利用预处理后的化学气相沉积设备制备钨形核层。利用该方法制备钨形核层，可以实现制备的钨形核层厚度均一的目的，简化了后续的钨体层的制备工艺参数的选择，保证了在钨形核层上制备的钨体层的质量，从而提升了基于上述钨形核层和钨体层制备的存储器件的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储 器件 钨形核层 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种钨形核层的制备方法，其特征在于，应用于化学气相沉积设备；所述钨形核层的制备方法包括：获取所述化学气相沉积设备的膜层厚度曲线，所述膜层厚度曲线中记录有所述化学气相沉积设备腔体初始化后制备的薄膜次数与钨形核层厚度的对应关系；根据所述膜层厚度曲线对腔体初始化后的化学气相沉积设备进行预处理，以使所述化学气相沉积设备处于所述膜层厚度曲线的稳定工作区；所述对腔体初始化后的化学气相沉积设备进行预处理包括：利用腔体初始化后的化学气相沉积设备进行预设次数的钨形核层制备；利用预处理后的化学气相沉积设备制备钨形核层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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