[发明专利]半导体装置的制造方法有效
申请号: | 201710769657.8 | 申请日: | 2017-08-31 |
公开(公告)号: | CN107799668B | 公开(公告)日: | 2022-04-26 |
发明(设计)人: | 山崎舜平;佐藤将孝;保本清治;熊仓佳代;井户尻悟 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 贾成功 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明的目的是提高半导体装置的制造工序的成品率。另外,本发明的一个方式的目的是提高半导体装置的生产率。在衬底上形成第一材料层,在第一材料层上形成第二材料层,使第一材料层与第二材料层分离,由此制造半导体装置。另外,在进行分离之前,优选对层叠的第一材料层与第二材料层进行加热。第一材料层包含含有氢和氧中的一个或两个的气体(例如,水)。第一材料层例如包含金属氧化物。第二材料层包含树脂。通过切断氢键来使第一材料层与第二材料层分离。另外,通过进行加热,第一材料层与第二材料层的界面或界面附近析出水。第一材料层与第二材料层间的密接性因存在于其界面或其界面附近的水而降低而使第一材料层与第二材料层彼此分离。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体装置的制造方法,包括如下步骤:在衬底上形成第一材料层;在所述第一材料层上形成第二材料层;以及使所述第一材料层与所述第二材料层彼此分离,其中,所述第一材料层包含含有氢或氧或者氢和氧的双方的气体,所述第二材料层包含树脂,并且,通过切断氢键来使所述第一材料层与所述第二材料层彼此分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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