[发明专利]一种扩散方阻异常硅片的处理工艺

摘要

本发明涉及硅太阳能电池制造领域，尤其涉及一种扩散方阻异常硅片的处理工艺，包括以下步骤：步骤1：筛选扩散后方阻≥110Ω的单晶硅片；步骤2：配置浓度5%‑20%的HF溶液去除表面的磷硅玻璃层，对单晶硅片酸洗5‑15min；步骤3：酸洗后通过自动化倒片机将步骤2的单晶硅片导入石英舟，依次按照沉积‑推进‑再沉积‑再推进四个步骤进行回炉扩散，该扩散方阻异常硅片的处理工艺大大提高了补扩成功率。

主权项

一种扩散方阻异常硅片的处理工艺，其特征在于：包括以下步骤：步骤1：筛选扩散后方阻≥110Ω的单晶硅片；步骤2：将步骤1中的单晶硅片导入硅片花篮，配置浓度为5%‑20%的HF溶液，对单晶硅片进行酸洗5‑15min，去除单晶硅片表面的磷硅玻璃层；步骤3：酸洗后通过自动化倒片机将步骤2的单晶硅片导入石英舟，进行回炉扩散，在炉中的补扩工艺方案如下：沉积：将扩散炉温度升至500~900℃，通入氮气、氧气和三氯氧磷气体，其中氮气流量为50‑2000ml/min，氧气流量为100‑1000 ml/min，三氯氧磷流量100‑200 ml/min，持续2‑10分钟；推进：停止通入三氯氧磷，继续通入氮气和氧气，其中氧气流量不变，将氮气流量改为30‑1000ml/min，持续1‑5分钟；再次沉积：重新通入三氯氧磷，继续通入氮气和氧气，其中氧气流量不变，三氯氧磷流量为30‑100 ml/min，氮气流量为50‑3000ml/min，持续2‑6分钟；再次推进：停止通入三氯氧磷，继续通入氮气和氧气，其中氧气流量不变，将氮气流量改为30‑500ml/min，持续1‑5分钟后，完成单晶硅片的回炉扩散。