[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，包括衬底和位于衬底上的鳍部，基底上形成有层间介质层，层间介质层内形成有露出部分基底的栅极开口，栅极开口侧壁上形成有侧墙；对远离基底一侧的部分高度的侧墙侧壁进行减薄处理，未进行减薄处理的侧墙的顶部至多与鳍部顶部齐平；在减薄处理后，在栅极开口的底部和侧壁形成栅介质层；在栅介质层上形成无定型硅层；形成无定型硅层后，对基底进行退火处理；在退火处理后，去除无定型硅层。本发明对远离基底一侧的部分高度的侧墙侧壁进行减薄处理，且未进行减薄处理的侧墙的顶部至多与鳍部顶部齐平，从而降低去除无定型硅层后发生无定型硅层残留问题的概率。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括衬底以及位于所述衬底上分立的鳍部，所述基底上形成有层间介质层，所述层间介质层内形成有露出部分所述基底的栅极开口，所述栅极开口侧壁上形成有侧墙；对远离所述基底一侧的部分高度的所述侧墙侧壁进行减薄处理，且未进行所述减薄处理的侧墙的顶部至多与所述鳍部顶部齐平；在所述减薄处理后，在所述栅极开口的底部和侧壁形成栅介质层；在所述栅介质层上形成无定型硅层；形成所述无定型硅层后，对所述基底进行退火处理；在所述退火处理后，去除所述无定型硅层。