[发明专利]一种顶层选择栅切线的刻蚀工艺方法

摘要

本发明提供了一种顶层选择栅切线的刻蚀工艺方法，通过将顶层选择栅切线刻蚀工艺步骤前置，设置在ON堆叠结构形成之后、台阶结构形成之前，而由于ON堆叠结构刚形成之后核心存储区域较为平坦，核心存储区与边缘区、晶圆中心和边缘之间厚度的差距＜这使得随后进行的顶层选择栅切线刻蚀工艺的精度更容易控制这就避免台阶结构形成以及化学机械研磨工艺(CMP)产生的难以避免的表面高度差导致的顶层选择栅切线刻蚀精度难以控制而造成对下层氮化硅不期望的破坏，从而使得后续的钨栅的成形精度更高，因此产品具有更好的电阻性能。

主权项

1.一种顶层选择栅切线的刻蚀工艺方法，其特征在于，依次包括以下步骤：形成多层堆叠结构，具体为，提供衬底并在所述衬底表面形成多层交错堆叠的层间介质层及牺牲介质层，所述牺牲介质层形成于相邻的层间介质层之间；为形成顶层选择栅切线(Top Select Gate Cut)进行光刻；为形成顶层选择栅切线(Top Select Gate Cut)进行刻蚀以形成顶层选择栅切线(Top Select Gate Cut)沟道；对顶层选择栅切线(Top Select Gate Cut)沟道进行氧化物填充；对多余的顶层选择栅切线(Top Select Gate Cut)沟道填充氧化物的去除；形成堆叠结构的台阶结构。