[发明专利]一种改善接触孔插塞氧化物凹陷的工艺方法

摘要

本发明提供了一种改善接触孔插塞氧化物凹陷的工艺方法，通过在经化学机械研磨工艺(CMP)处理的接触孔堆叠结构的表面插入一层硬质的化学机械研磨截止层，来实现随后通过化学机械研磨工艺(CMP)，将原子层沉积工艺(ALD)沉积顶层选择栅切线氧化物材料步骤中形成的多余的顶层选择栅切线氧化物材料层去除，从而在随后等离子体增强化学的气相沉积法(PECVD)形成的插塞氧化物及堆叠结构中不再有原子层沉积工艺(ALD)沉积的氧化物层，也因此，在随后的接触孔(Channel Hole)湿法刻蚀工艺(如DHF湿法刻蚀)中，避免了由于原子层沉积工艺(ALD)沉积的氧化物层的过快刻蚀而导致的接触孔(Channel Hole)的弯曲状(Bowing Profile)形貌的加剧，从而提高了3D NAND闪存的整体性能。

主权项

1.一种改善接触孔插塞氧化物凹陷的工艺方法，包括以下步骤：/n在衬底表面形成多层堆叠结构，具体为，首先，提供衬底，所述衬底表面形成有多层交错堆叠的层间介质层及牺牲介质层，所述牺牲介质层形成于相邻的层间介质层之间；然后，采用化学机械研磨工艺获得顶层层间介质层光滑平整的表面；/n在所述光滑平整的表面上沉积一层化学机械研磨截止层；/n为形成顶层选择栅切线进行光刻，具体为，首先在化学机械研磨截止层的表面上形成复合光刻层；然后在需要形成选择栅切线的位置实施光刻；/n为形成顶层选择栅切线进行刻蚀，具体为，采用常规刻蚀工艺在前述光刻位置形成顶层选择栅切线的沟道，并去除所述复合光刻层以露出所述化学机械研磨截止层的表面；/n对顶层选择栅切线沟道进行填充，具体为，在所述沟道中沉积填充顶层选择栅切线氧化物材料；/n去除多余的顶层选择栅切线氧化物材料，具体为，采用化学机械研磨工艺，将对顶层选择栅切线沟道进行填充时在所述化学机械研磨截止层表面形成的多余的顶层选择栅切线氧化物材料去除，以露出化学机械研磨截止层表面并形成光滑平整的表面；/n去除所述化学机械研磨截止层；/n去除多余的顶层选择栅切线氧化物材料，具体为，采用化学机械研磨工艺去除在去除化学机械研磨截止层后多余的、凸出的顶层选择栅切线氧化物材料，直至顶层选择栅切线氧化物材料与顶层层间介质层表面平齐，以获得平整光滑的表面；/n沉积插塞氧化物，具体为，在顶层层间介质层和顶层选择栅切线氧化物材料的表面沉积插塞氧化物，以及在插塞氧化物表面形成氮化硅层。/n