[发明专利]插塞结构、三维存储器的形成方法和三维存储器有效
| 申请号： | 201910824467.0 | 申请日： | 2019-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN110718504B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 张珍珍;顾立勋 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 李梅香;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例公开了一种插塞结构、三维存储器的形成方法和三维存储器，其中，插塞结构的形成方法包括：采用第一刻蚀工艺对连接层表面的介质层和所述连接层进行刻蚀，形成第一插塞孔；采用第二刻蚀工艺，沿所述第一插塞孔的内壁进行刻蚀，形成第二插塞孔；在所述第二插塞孔内沉积导电材料，形成插塞结构。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 三维 存储器 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种插塞结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括：/n采用第一刻蚀工艺对连接层表面的介质层和所述连接层进行刻蚀，形成第一插塞孔；/n采用第二刻蚀工艺，沿所述第一插塞孔的内壁进行刻蚀，形成第二插塞孔；/n在所述第二插塞孔内沉积导电材料，形成插塞结构；/n所述连接层为衬底或导电层。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910824467.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于半导体工艺的方法和半导体结构
- 下一篇：半导体结构及其制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
